RC充電的通用公式： Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)] Vt：t時(shí)刻電容電壓（單位...RC充電的通用公式： Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)] Vt：t時(shí)刻電容電壓（單位：伏特V）。 V0：充電初始電壓（單位：伏特V）。 V1：充電最終電壓（單位：伏特V...
KND3706A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造...KND3706A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造，為多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供優(yōu)異的RDS（導(dǎo)通）和柵極電荷性能。具有極低導(dǎo)通電...
當(dāng)主功率放大器的輸出端直流電壓為0V時(shí)，VT1管因?yàn)闆](méi)有偏置電壓而截止；VT2管發(fā)...當(dāng)主功率放大器的輸出端直流電壓為0V時(shí)，VT1管因?yàn)闆](méi)有偏置電壓而截止；VT2管發(fā)射極和基極電壓都為0V，VT2管截止；因?yàn)閂T2管截止，VT3管基極電流沒(méi)有回路，所以使...
電源類(lèi)型：可分為電池供電（如鋰電池）或電源適配器供電。電池供電時(shí)需配合充電...電源類(lèi)型：可分為電池供電（如鋰電池）或電源適配器供電。電池供電時(shí)需配合充電管理芯片，功放芯片多采用D類(lèi)放大芯片以實(shí)現(xiàn)大音量輸出。 電壓穩(wěn)定：部分電路通過(guò)...
KLM80R240B超結(jié)MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導(dǎo)體器件，通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)...KLM80R240B超結(jié)MOSFET是一種采用多層外延工藝的功率半導(dǎo)體器件，通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低內(nèi)阻、高抗浪涌能力和快速開(kāi)關(guān)特性。80r240?漏源擊穿電壓800V，漏極電流1...
