電路開關(guān)符號是在電路圖中用來表示不同類型電氣開關(guān)的圖形符號。在電氣工程設(shè)計(jì)...電路開關(guān)符號是在電路圖中用來表示不同類型電氣開關(guān)的圖形符號。在電氣工程設(shè)計(jì)和電路布線中，正確理解和使用電氣開關(guān)符號對于保證電路的可靠性和安全性至關(guān)重要。...
KNP6450B場效應(yīng)漏源電壓500V，漏極電流13A，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 0.35Ω，最大限...KNP6450B場效應(yīng)漏源電壓500V，漏極電流13A，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，高效率低損耗，性能優(yōu)越；具備快速切換特性，實(shí)現(xiàn)快速切換電源；...
當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓（約14V）經(jīng)過Q4、D3、R6...當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓（約14V）經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓（Phase）接近電源電壓Vdc，所以...
MOS管是由柵極、源極和漏極構(gòu)成的三端器件，通過柵極電壓控制源漏極間電流通斷...MOS管是由柵極、源極和漏極構(gòu)成的三端器件，通過柵極電壓控制源漏極間電流通斷。在電動車控制器中多采用N溝道增強(qiáng)型MOS管，其導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點(diǎn)適合高...
KLP60R170B是一款n溝道多外延Super-JMOSFET，漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，...KLP60R170B是一款n溝道多外延Super-JMOSFET，漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，減少功耗...
