控制器開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,電動(dòng)車控制器mos管-KIA MOS管

電動(dòng)車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

1、由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路工作原理：

當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓（約14V）經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓（Phase）接近電源電壓Vdc，所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動(dòng)，電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通。

當(dāng)HS為低電平時(shí)，Q7、Q4關(guān)閉，Q6導(dǎo)通，為Q5的柵極提供放電回路，從而使Q5很快關(guān)閉。當(dāng)Q5關(guān)閉后，由于下管的開通或負(fù)載的作用，使得Phase電壓下降接近0V，從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電，為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。

當(dāng)LS為低電平時(shí)，Q8、Q11導(dǎo)通，Q10關(guān)閉，驅(qū)動(dòng)電路通過R11為下管Q9的柵極充電，使Q9導(dǎo)通。

當(dāng)LS為高電平時(shí)，Q8、Q11關(guān)閉，Q10導(dǎo)通，為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。

當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí)，上管開通下管關(guān)閉。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí)，上管關(guān)閉下管開通。在實(shí)際應(yīng)用中，為了避免上下管同時(shí)開通，HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

2、半橋驅(qū)動(dòng)芯片組成的驅(qū)動(dòng)電路如圖所示，工作原理：

當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí)，HO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出，使Q1開通。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí)，LO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出，使Q2開通。

電容C2與分立器件驅(qū)動(dòng)電路里的C4作用相同，同樣為自舉電容。

電容C1為去藕電容，為抑制功率MOSFET開關(guān)時(shí)對驅(qū)動(dòng)電路浮動(dòng)電源部分的干擾，一般應(yīng)加上此電容。

兩種驅(qū)動(dòng)線路的區(qū)別

兩種驅(qū)動(dòng)電路在開通時(shí)能提供基本相同的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)MOSFET開通，但在MOSFET關(guān)斷時(shí)，分立器件驅(qū)動(dòng)電路因?yàn)橛腥龢O管放電，所以能提供更大的放電電流關(guān)閉MOSFET，而半橋驅(qū)動(dòng)電路由于要經(jīng)過柵極電阻放電，所以放電電流相對較小，導(dǎo)致MOSFET關(guān)閉時(shí)間過長，開關(guān)損耗相應(yīng)增加。解決的辦法可以是在驅(qū)動(dòng)電阻上反并聯(lián)一只二極管并增加一個(gè)放電的PNP三極管。

分立器件驅(qū)動(dòng)電路用的器件較多，可靠性相對沒有半橋芯片的驅(qū)動(dòng)電路高。但前提條件是半橋驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電路要設(shè)計(jì)合理。

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