KIA70N06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流70A，采用KIA專(zhuān)有的平面條狀DMOS技...KIA70N06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流70A，采用KIA專(zhuān)有的平面條狀DMOS技術(shù)制造，技術(shù)經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩模...
開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），一種高效、穩(wěn)定的電源供應(yīng)器，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備...開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），一種高效、穩(wěn)定的電源供應(yīng)器，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。開(kāi)關(guān)模式電源又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，其功能是...
在電路中，一個(gè)元件的品質(zhì)因數(shù)用來(lái)衡量該元件的效率。 品質(zhì)因數(shù)（Q）定義為：...在電路中，一個(gè)元件的品質(zhì)因數(shù)用來(lái)衡量該元件的效率。 品質(zhì)因數(shù)（Q）定義為：Q=2π×頻率×最大儲(chǔ)能/平均功率消耗 品質(zhì)因數(shù)（Q因數(shù)）是表示存儲(chǔ)在能量存儲(chǔ)裝置（...
KIA65N06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流65A，采用特有的平面條狀DMOS技術(shù)制...KIA65N06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流65A，采用特有的平面條狀DMOS技術(shù)制造，經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，有效降低導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式...
通過(guò)使用7812三端穩(wěn)壓器，可以進(jìn)一步增加負(fù)載輸出能力，但需注意，隨著負(fù)載的增...通過(guò)使用7812三端穩(wěn)壓器，可以進(jìn)一步增加負(fù)載輸出能力，但需注意，隨著負(fù)載的增加，必須考慮添加散熱片，以確保電流能夠達(dá)到甚至超過(guò)1.5A。這種穩(wěn)壓器不僅集成了降...
接通12V電源后，由V1，V2、R1-R4、C1、C2構(gòu)成的多諧振蕩器得電起振，V1、V2的集...接通12V電源后，由V1，V2、R1-R4、C1、C2構(gòu)成的多諧振蕩器得電起振，V1、V2的集電極輪流輸出接近50Hz的正極性方波，經(jīng)過(guò)C3和R5、C4和R6組成的積分電路積分整形為準(zhǔn)...
