KNP2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，高...KNP2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，高密度電池設(shè)計(jì)?，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，高效低耗；極?低導(dǎo)通電阻RDS(o...
圖（a)所示晶體管開關(guān)電路分析可知、當(dāng)輸入為高電平時(shí)，輸出為低電平；當(dāng)輸入為...圖（a)所示晶體管開關(guān)電路分析可知、當(dāng)輸入為高電平時(shí)，輸出為低電平；當(dāng)輸入為低電平時(shí)，輸出為高電平，所以輸出與輸入之間呈現(xiàn)非邏輯關(guān)系，是一個(gè)非門，也稱為反...
整流部分使用6個(gè)二極管。二極管D1、D2和D3與正軌連接，二極管D4、D5和D6與負(fù)軌...整流部分使用6個(gè)二極管。二極管D1、D2和D3與正軌連接，二極管D4、D5和D6與負(fù)軌連接。這 6 個(gè)二極管充當(dāng)二極管電橋，將三相交流信號轉(zhuǎn)換為單個(gè)直流電源軌。三相 R、...
KNM63120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；低...KNM63120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；低導(dǎo)通電阻RDS(on) 1.2Ω，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗；具...
需要點(diǎn)動(dòng)控制時(shí)，按下點(diǎn)動(dòng)復(fù)合按鈕 SB3，其常閉觸點(diǎn)先斷開KM的自鎖電路，隨后S...需要點(diǎn)動(dòng)控制時(shí)，按下點(diǎn)動(dòng)復(fù)合按鈕 SB3，其常閉觸點(diǎn)先斷開KM的自鎖電路，隨后SB3常開觸點(diǎn)閉合，接通啟動(dòng)控制電路，接觸器KM線圈得電吸合，KM主觸點(diǎn)閉合，電動(dòng)機(jī)M啟...
MOSFET的三端標(biāo)記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形...MOSFET的三端標(biāo)記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形式， 最常見的如下圖所示， 以一條垂直線代表溝道(Channel)， 兩條和溝道平行的接線...
