這個(gè)電路加入了一個(gè)三極管Q2來(lái)輔助Cgs寄生電容的泄放電荷，可以大大縮短MOS的關(guān)...這個(gè)電路加入了一個(gè)三極管Q2來(lái)輔助Cgs寄生電容的泄放電荷，可以大大縮短MOS的關(guān)斷時(shí)間。其原理是當(dāng)MOS要關(guān)斷瞬間，Cgs寄生電容電壓是電源電壓，三極管的e極連接的...
當(dāng)負(fù)載電流Iout增加時(shí)，采樣電阻1Ω上的電壓V1增加，從而運(yùn)算放大器反相輸入端...當(dāng)負(fù)載電流Iout增加時(shí)，采樣電阻1Ω上的電壓V1增加，從而運(yùn)算放大器反相輸入端電壓Vn增加；從而導(dǎo)致同相輸入端Vp和反相輸入端Vn之間的差值減小，然后運(yùn)算放大器輸...
功率開(kāi)關(guān)管符號(hào)是K。功率開(kāi)關(guān)管是指能承受較大電流，漏電流較小，在一定條件下...功率開(kāi)關(guān)管符號(hào)是K。功率開(kāi)關(guān)管是指能承受較大電流，漏電流較小，在一定條件下有較好飽和導(dǎo)通及截止特性的三極管，可不太考慮其放大性能，其控制極與基極電流大小...
P型半導(dǎo)體是通過(guò)摻雜三價(jià)元素（如硼）形成的，其中空穴（多子）為主要載流子，...P型半導(dǎo)體是通過(guò)摻雜三價(jià)元素（如硼）形成的，其中空穴（多子）為主要載流子，因此P型半導(dǎo)體中空穴的濃度較高。P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)是具有較高的空穴濃度，使其在電導(dǎo)...
一個(gè)采用正激隔離變壓器實(shí)現(xiàn)電氣隔離的驅(qū)動(dòng)電路?？刂菩酒捎昧薝C3844，其輸出...一個(gè)采用正激隔離變壓器實(shí)現(xiàn)電氣隔離的驅(qū)動(dòng)電路?？刂菩酒捎昧薝C3844，其輸出為高電平時(shí)，輸出電流經(jīng)過(guò)R4、C1給變壓器初級(jí)線圈勵(lì)磁。次級(jí)線圈為高電平輸出，通過(guò)...
電源正常接入，也就是電源沒(méi)有正負(fù)反接，此時(shí)電源正常對(duì)負(fù)載供電。 假設(shè)拿掉M...電源正常接入，也就是電源沒(méi)有正負(fù)反接，此時(shí)電源正常對(duì)負(fù)載供電。 假設(shè)拿掉MOS管g極的電阻R1，此時(shí)MOS管將不導(dǎo)通，但Vin可以通過(guò)MOS管的體二極管對(duì)負(fù)載進(jìn)行供電...
