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低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造，封裝形式：TO-251/252。KIA30N06B3場效應(yīng)管可以...

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KIA100N03場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；...KIA100N03場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03場效應(yīng)管非常適合應(yīng)用于小功率LED、鋰電池保護(hù)板等產(chǎn)品領(lǐng)域，KIA100N03場效...

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KIA7P03A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進(jìn)的高密度溝槽技...KIA7P03A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減等；封裝形式：SOP-8。KIA7P03A場效應(yīng)管...

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2306場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)...2306場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應(yīng)管非常適合應(yīng)用于LED感應(yīng)燈、...

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3415場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)...3415場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-16V，漏極電流為-4A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。3415場效應(yīng)管非常適合使用于蘋果充電頭、...

2302場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,2300場效應(yīng)管代換,LED感應(yīng)燈?...

KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛...KIA2302漏源擊穿電壓20V，漏極電流為3A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23場效應(yīng)管MOSFET能...