P溝道增強型mosfet的結(jié)構(gòu)和工作原理：文中有P溝道增強型mosfet的結(jié)構(gòu)示意圖．通...P溝道增強型mosfet的結(jié)構(gòu)和工作原理：文中有P溝道增強型mosfet的結(jié)構(gòu)示意圖．通過光刻、擴散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個摻雜的P區(qū)，分別引出電...
KPE4703A產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=19mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、超低門電荷 3、綠色設(shè)...KPE4703A產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=19mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、超低門電荷 3、綠色設(shè)備可用 4、Cdv/dt效應(yīng)下降 5、先進的高密度槽道技術(shù)
KPE4403A2產(chǎn)品特征 ：1、RDS(on)=42mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、綠色設(shè)備可用 3、超...KPE4403A2產(chǎn)品特征 ：1、RDS(on)=42mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、綠色設(shè)備可用 3、超低門電荷 4、Cdv/dt效應(yīng)下降 5、先進的高密度槽道技術(shù)
KNX3206A產(chǎn)品特征1、RDS(ON)=6.5mΩ(類型)@V GS=10V 2、低RD（ON）減小導電損耗...KNX3206A產(chǎn)品特征1、RDS(ON)=6.5mΩ(類型)@V GS=10V 2、低RD（ON）減小導電損耗 3、用于快速交換的低門電荷 4、優(yōu)化的BVDSS性能
正確選擇MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和...正確選擇MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸...
mos管KIA4N65H-產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC...mos管KIA4N65H-產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC） 3、高韌性 4、快速切換 5、N100%雪崩試驗 6、改進的dv/dt能力
