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KPX8610A廠家直銷 8610A -35A/-100V PDF中文資料文件-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-06-01 

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1.KPX8610Cmos管特征

RDS (on) = 42m VGS=10V

100%EAS保證

兼容RoHS

超低門電荷

Cdv/dt效應下降

先進的高密度槽道技術

KPX8610A

2.KPX8610Cmos管描述

該KPX8610C采用先進的溝道MOSFET技術,提供優(yōu)良的R DS(ON)和其他應用范圍

KPX8610C可滿足RoHS和Green的需求,適用于許多其它應用。

KPX8610C產品要求:100%EAS保證,功能可靠。


3.KPX8610C參數范圍

產品型號:KPX8610C

工作方式:-35A/-100V

漏源電壓:-1000V

柵源電壓:±20A

漏電流連續(xù):-35A

脈沖漏極電流:100A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

熱電阻:62℃/V

漏源擊穿電壓:-1μA

柵極閾值電壓:-1.0V

輸入電容:4060PF

輸出電容:120PF

上升時間:50ns

封裝形式:TO-251、252


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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