4n65場效應(yīng)管參數(shù),650v4a,to252,KND4365A代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-04
4n65場效應(yīng)管代換型號KND4365A漏源擊穿電壓為650V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2Ω，最大限度地減少導電損耗，有效降低損耗，提高電路效率；還具有快速切換能力、經(jīng)過100%雪崩測試、改進的dv/dt能力在電路切換時快速響應(yīng)，能夠在高頻率下穩(wěn)定工作，性能優(yōu)越；廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)模式電源、不間斷電源（UPS）、電子鎮(zhèn)流器等；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：55W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：523PF
輸出電容：58.7PF
反向傳輸電容：9.855PF
開通延遲時間：12.1nS
關(guān)斷延遲時間：36.8nS
上升時間：14.9ns
下降時間：11.3ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
