場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓是什么？-KIA MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓

場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)鍵參數(shù)：

開(kāi)啟電壓VGS(th)（或VT）

開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的重要參數(shù)。當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管將無(wú)法導(dǎo)通。

夾斷電壓VGS(off)（或VP）

夾斷電壓是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的關(guān)鍵參數(shù)。當(dāng)柵源電壓VGS等于夾斷電壓VGS(off)時(shí)，漏極電流將降至為零。

夾斷電壓是場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的核心參數(shù)，指在柵源電壓控制下使導(dǎo)電溝道完全夾斷的臨界電壓值。對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和耗盡型MOS管，該參數(shù)體現(xiàn)為漏極電流趨近于零時(shí)的柵源電壓閾值。該參數(shù)直接影響器件工作區(qū)域的劃分，是區(qū)分飽和區(qū)與截止區(qū)的重要指標(biāo)。

場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓

參數(shù)特性

數(shù)值范圍：N溝道器件通常為負(fù)值，P溝道為正值。

影響因素：由器件物理結(jié)構(gòu)（如溝道摻雜濃度、寬度等）決定。

場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓與截止電壓

夾斷電壓（VP）是指當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極-源極電壓（VDS）增大到一定程度時(shí)，溝道被夾斷，電流無(wú)法繼續(xù)增大，場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入恒流區(qū)的臨界電壓。而截止電壓（VGS(off)）則是指柵極-源極之間的反向電壓增大到一定程度時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流降為零，器件進(jìn)入截止區(qū)的電壓。

場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓

從半導(dǎo)體物理的角度來(lái)看，夾斷電壓和截止電壓都源于PN結(jié)的耗盡層效應(yīng)。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極-源極電壓（VDS）增大時(shí)，漏極與柵極之間的反向電壓也隨之增大，導(dǎo)致PN結(jié)的耗盡層變厚，溝道逐漸變窄。當(dāng)VDS達(dá)到夾斷電壓時(shí)，溝道被完全夾斷，電流無(wú)法繼續(xù)增大，場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入恒流區(qū)。同樣地，當(dāng)柵極-源極之間的反向電壓（VGS）增大到截止電壓時(shí)，耗盡層進(jìn)一步加寬，溝道被完全閉合，電流降為零，場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入截止區(qū)。因此，無(wú)論是夾斷電壓還是截止電壓，它們的本質(zhì)都是耗盡層的擴(kuò)展導(dǎo)致溝道的閉合。

場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓