在MOS開(kāi)通過(guò)程中，伴隨很大的電壓瞬變，即dv/dt，從而在寄生電容中產(chǎn)生大的位移...在MOS開(kāi)通過(guò)程中，伴隨很大的電壓瞬變，即dv/dt，從而在寄生電容中產(chǎn)生大的位移電流Cdv/dt，形成電流尖峰；在MOS關(guān)斷過(guò)程中，通道內(nèi)產(chǎn)生電流瞬變，di/dt，瞬變電流...
這個(gè)電路主要用到了一個(gè)電容的充電回路，這里需要引入一個(gè)時(shí)間常數(shù)，如果剛給電...這個(gè)電路主要用到了一個(gè)電容的充電回路，這里需要引入一個(gè)時(shí)間常數(shù)，如果剛給電路通上電，并且按下左面的開(kāi)關(guān)，那么電流會(huì)通過(guò)R1和R2和按鈕開(kāi)關(guān)給電容充電，這個(gè)充...
一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極...一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極）電位相同，放電直接在G極和S極之間用導(dǎo)線短接一下就可以了，也可以串接個(gè)電阻。
頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊...頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)：160 V
漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）...漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封裝：SOT-23
