保護(hù)作用：當(dāng)流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分；對(duì)于高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合，體二極管...保護(hù)作用：當(dāng)流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分；對(duì)于高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合，體二極管由于開(kāi)通速度過(guò)慢，導(dǎo)致無(wú)法迅速開(kāi)通，電流無(wú)法通過(guò)，進(jìn)而損壞MOS，因此并聯(lián)的二極...
勢(shì)壘高度的計(jì)算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢(shì)...勢(shì)壘高度的計(jì)算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢(shì)壘寬度，Wm為多數(shù)載流子能量，Ws為少數(shù)載流子能量。
電容是衡量電路中儲(chǔ)存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有...電容是衡量電路中儲(chǔ)存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。
當(dāng)輸入口的電壓小于等于GND-0.7時(shí)，二極管D1不導(dǎo)通，二極管D2導(dǎo)通，此時(shí)輸出口...當(dāng)輸入口的電壓小于等于GND-0.7時(shí)，二極管D1不導(dǎo)通，二極管D2導(dǎo)通，此時(shí)輸出口的電壓就會(huì)被鉗位在GND-0.7，無(wú)論輸入再小，輸出也不會(huì)變。
輸入整流部分：分析高壓輸入整流電路的具體參數(shù)，然后選取具體保險(xiǎn)整流二極管的...輸入整流部分：分析高壓輸入整流電路的具體參數(shù)，然后選取具體保險(xiǎn)整流二極管的規(guī)格，因?yàn)槲覀兊墓β时容^低，可以選取線繞電阻作為保險(xiǎn)，用1N4007做整流管如果功率...
